Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Nanostrukturen

Arbeitsfeld:

In diesem Querschnittsprojekt sollen andere Teilprojekte (insbesondere TP II.2 und II.4) durch virtuelles Prototyping von Tunnelfeldeffekttransistoren (TFET) und ballistischen Y-Transistoren unterstützt werden, wobei gleichzeitig auch die hierfür nötigen Bauelement-modelle entwickelt und in eine Simulationsplattform für Nanobauelemente implementiert werden sollen. Mit Hilfe validierter und kalibrierter physikalischer Bauelementmodelle wird die prädiktive Bauteil- und Schaltungssimulation erschlossen und die Bauelementeoptimie-rung unterstützt. Durch numerische Analysen („virtuelles Experimentieren“) läßt sich zum einen das grundlegende Verständnis ballistischer Nanobauelemente erweitern, zum anderen lassen sich Kompaktmodelle zur Schaltungssimulation extrahieren.